"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктур с инверсионным каналом
Данишевский А.М.1,2,3, Котина И.М.1,2,3, Коньков О.И.1,2,3, Теруков Е.И.1,2,3, Тухконен Л.М.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Гатчина, Ленинградская область, Орлова Роща
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Email: Alex.d@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Представлены результаты исследования влияния удельного сопротивления кристаллического кремния (1.5-40 kOmega· cm) и толщины аморфной пленки (200-2000 Angstrem) на фотоэлектрические свойства гетероструктур a-Si : H/c-Si, созданных на основе высокоомного кремния p-типа. На исследуемых гетероструктурах наблюдался инверсионный приповерхностный изгиб зон в кристаллическом кремнии. Наличие проводящего канала обеспечило сбор неравновесных носителей при освещении областей, удаленных от электрода на расстояния, существенно превышающие их диффузионную длину. Гетероструктуры обладали высокой фоточувствительностью, в том числе и в УФ-области спектра. Спектральные характеристики таких структур в видимой и ближней ИК-области были аналогичны характеристикам кремниевых туннельных МДП-структур.
  • Maslova O.A., Alvarez J., Gushina E.V., Favre W., Gueunier-Farret M.E., Gudovskikh A.S., Ankudinov A.V., Terukov E.I., Kleider J.-P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 252 110
  • Jian V.Li, Richard S., Crandall S., David L. Young, Matthew R.Page, Eugene Iwaniczko et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. P. 114 502
  • Leendertz C., Mingirulli N., Schulze T.F., Kleider J.P., Rech B., Korte L. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 202 108
  • Schulze T.F., Korte L., Rech B. // Thin Solid Films. 2012. V. 520. P. 4439
  • Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП приборы. М.: Радио и связь, 1983. 160 c
  • Афанасьева Н.П., Данишевский А.М., Дербин А.В., Котина И.М. Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур. Препринт ЛИЯФ АН СССР N 1759. 1991. 35 c
  • Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 253 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.