"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностные процессы при плазмохимическом осаждении пленок полупроводниковых соединений A 2B 6
Василевский М.И.1, Гурылев Б.В.1, Ершов С.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского,, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Развивается комплексная модель плазмостимулированного осаждения полупроводниковых слоев из МОС, предложенной в [1], что позволяет проследить связь между исходными технологическими параметрами и некоторыми свойствами слоев как бинарного, так и тройного соединения. По сравнению с [1] учтены конкретный вид стабильного зародыша на поверхности и важная роль химической десорбции при невысоких температурах роста. В результате на основе довольно простой модели поверхностных процессов удалось объяснить ряд экспериментальных закономерностей. Тот факт, что температурная зависимость скорости роста и состава слоев CdxHg1-xTe промоделирована без введения дополнительных предположений и с использованием кинетических коэффициентов, подобранных при моделировании соответствующих зависимостей для CdTe и HgTe, существенно повышает доверие к предложенной здесь теории. Модель позволяет проследить появление неслучайности в заполнении катионной подрешетки атомами Cd и Hg (кинетический ближний порядок типа кластерообразования или упорядочения) как следствия определенных поверхностно-кинетических свойств адатомов и указывает пути к уменьшению этого эффекта.
  • Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др. ЖТФ. 1991. Т. 61. Вып. 6. С. 37
  • Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др. Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 6. С. 59
  • Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др. Высокочистые вещества. 1989. N 6. С. 202
  • Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др. Высокочистые вещества. 1989. N 6. С. 78
  • Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В. и др. ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 1. С. 160
  • Ershov S.N., Vasilevskiy M.I., Bebushis T.I. et al. Semicond. Sci. Technol. 1992. Vol. 7. P. 245
  • Cohen-Solal G., Bailly F., Barbe M. Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49. N 22. P. 1519
  • Гурылев Б.В., Ершов С.Н., Каржин Г.А., Озеров А.Б. VIII Всесоюзн. конф. по росту кристаллов. Харьков, 1992. Т. 1. С. 176--177
  • Brebrick R.F. J. Cryst. Growth. 1988. Vol. 86. N 1. P. 39
  • Cheung J.T. Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 23. P. 1940
  • Walton D. J. Chem. Phys. 1962. Vol. 37. N 10. P. 2182
  • Brice J.C. Progr. Cryst. Growth. and Charact. 1986. Vol. 13. P. 39
  • Чернов А.А., Стоянов С.С. Кристаллография. 1977. Т. 22. N 2. С. 248--255
  • Myers-Beaghton A.K., Vvedensky D.D. Surf. Sci. Lett. 1990. Vol. 240. P. 1599
  • Sher A., Berding M.A., van Schilfgaarde M., Chen A.B. Semicond. Sci. Technol. 1991. Vol. 6. N 120. P. C59--C70
  • Васильев В.П., Мамонтов М.В., Морозова В.В. Тез. докл. IV Всесоюзн. конф. "Термодинамика и материаловедение п/п". М., 1989. Ч. I. С. 97--100
  • Козырев С.П., Пырков В.Н., Водопьянов Л.К. ФТТ. 1992. Т. 34. Вып. 8. С. 2372--2381
  • Baranova O.V., Vasilevskiy M.I. J. Phys. 1992. Vol. 4. N 49. P. 9299--9308
  • Жирифалько Л. Статистическая физика твердого тела. М.: Мир, 1975. С. 202--230
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.