Показано, что функция распределения горячих фотоэлектронов в кубических полупроводниках поляризационно зависима вследствие учета эффектов пространственной дисперсии и кубической анизотропии при фотогенерации электронов или влияния внешних полей, приводящх к разогреву баллистических фотоэлектронов с анизотропной функцией генерации. Поляризационная зависимость фотопроводимости "привязана" к кристаллографическим осям или к вектору поля соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.