Издателям
Вышедшие номера
Форма линии комбинированного резонанса на дислокациях в полупроводниках
Кошелев А.Е., Кравченко В.Я., Хмельницкий Д.Е.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Уравнения переноса для элементов матрицы плотности электрона в одномерной дислокационной зоне используются для исследования формы линии комбинированного резонанса. Рассмотрены случаи, когда дислокация содержит проводящие сегменты большой или малой длины L. Показано, что для больших L и низкой частоты переменного поля (omegatau<<1) линия поглощения имеет вид антирезонанса, а при уменьшении L форма линии деформируется и кривая поглощения становится похожей на кривую дисперсии для обычного ЭПР. Качественное согласие с данными эксперимента на деформированном кремнии свидетельствует в пользу существования одномерных дислокационных зон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.