Рассмотрено влияние гофрировки изоэнергетических поверхностей валентной зоны полупроводниковых кристаллов на частотную зависимость оптических переходов "примесь-зона". Показано, что при увеличении степени гофрировки, частотная зависимость сечений для переходов с участием тяжелых дырок становится более резкой, в то время как сечения процессов для легких дырок становятся более плавными. Аналитически и численно найдены зависимости сечений переходов "валентная зона-донор" от частоты поглощаемых квантов при различных степенях гофрировки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.