Издателям
Вышедшие номера
Рентгеновские исследования фазовых переходов в узкозонных полупроводниках группы A4B6
Козловский В.Ф., Лебедев А.И.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Проведены рентгеновские исследования искажений ГЦК решетки в ряде твердых растворов полупроводников группы А4В6, в которых ожидается появление низкотемпературных фазовых переходов (ФП). В образцах Рb0.8Sn0.2Те и РbТе0.95S0.05 не обнаружено никаких искажений решетки при T>100 K. Показано, что введение примесей In и S в твердый раствор Pb1-xGexТе понижает температуру Tc сегнетоэлектрического ФП O5h-> C53v. Изучено влияние замещения Te->Se на ФП в Pb1-xGexTe: в Pb0.92Ge0.08Te1-ySey обнаружено немонотонное изменение температуры Tc и температурного коэффициента угла ромбоэдрического искажения dalpha/dT с составом y. Эти явления объяснены влиянием случайных деформационных и квазиэлектрических полей на упорядочение дипольных моментов нецентральных атомов Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.