Издателям
Вышедшие номера
Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры
Абакумов В.Н., Курносова О.В., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Рассмотрены процессы термической ионизации и многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры. Для описания состояний носителей использована многозонная модель короткодействующего потенциала, что впервые позволило вычислить сечения захвата электронов и дырок на один и тот же центр. Вычисления проведены на примере донорного A1-состояния в полупроводниках А3В5. Результаты вычислений сопоставлены с экспериментальными данными по захвату электронов и дырок на уровень E L2 в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.