Экспериментально оценена энергия активации температурного тушения люминесценции автолокализованных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах при низкотемпературной одноосной деформации. Обнаружено, что увеличение значения энергии активации наблюдается в ряду кристаллов KBr->NaCl->KI->NaBr->CsBr->RbI. На основании роста значения энергии активации, характеризующей высоту потенциального барьера, разделяющего излучательный и безызлучательный (с образованием радиационных дефектов) каналы распада автолокализованных экситонов, интерпретирован эффект усиления собственной люминесценции щелочно-галоидных кристаллов при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. PACS: 71.35.Aa, 71.38.-k, 78.20.Bh, 78.55.Fv
V. Babin, A. Bekeshev, A. Elango, K. Kalder, A. Maaroos, K. Shunkeev, E. Vasilchenko, S. Zazubovich. J. Phys.: Cond. Matter 11, 2303 (1999)
V. Babin, A. Elango, K. Kalder, A. Maaroos, K. Shunkeev, E. Vasilchenko, S. Zazubovich. J. Lumin. 81, 71 (1999)
V. Babin, A. Bekeshev, A. Elango, K. Kalder, K. Shunkeev, E. Vasilchenko, S. Zazubovich. J. Lumin. 76--77, 502 (1998)
A. Elango, Sh. Sagimbaeva, E. Sarmukhanov, T. Savikhina, K. Shumkeev. Rad. Measurements 33, 823 (2001)
Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. Наука, М. (1989). 264 с
K.S. Song, R.T. Williams. Self-trapped excitons. Springer-Verlag, Berlin (1993)
К.Ш. Шункеев, Е.Т. Сармуханов, А.З. Бекешев, Ш.Ж. Сагимбаева. Предварительный патент Республики Казахстан N 4831 от 30.06.2004
Е.С. Гафиатуллина, С.А. Чернов, В.Ю. Яковлев. ФТТ 40, 640 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук