"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках Ge_xSi_1-x (x~ 0.4-0.5), выращенных на отклоненных подложках Si(001)->(111)

Болховитянов Ю.Б.¹, Гутаковский А.К.¹, Дерябин А.С.¹, Соколов Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Email: bolkhov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучена дислокационная структура пленок Ge_xSi_1-x (x~0.4-0.5), выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si(001), отклоненных на 6^o вокруг оси < 011>. Показано, что в направлении отклонения краевые дислокации несоответствия (ДН) возникают только в виде коротких отрезков на пересечениях 60^o ДН. Как следствие, суммарная длина краевых ДН в направлении отклонения подложки становится меньше, чем в направлении оси отклонения. Отклонение подложки от сингулярной грани позволило обнаружить дислокационную конфигурацию, состоящую из короткого отрезка краевой ДН и расходящихся от него в направлении отклонения двух 60^o ДН. Предполагается, что образование отрезка начинается с одновременного зарождения комплементарных дислокационных полупетель, образующих на границе раздела короткую краевую ДН и затем распространяющихся в одну сторону в виде двух расходящихся лучей 60^o ДН. PACS: 61.72.Lk, 81.05.Cy, 81.15.-z

D.C. Houghton, D.D. Perovic, J.-M. Baribeau, G.G. Weatherty. J. Appl. Phys. 67, 1850 (1990)

E.A. Fitzgerald, D.G. Ast. Appl. Phys. 63, 693 (1988)

V.Yu. Karasev, N.A. Kiselev, E.V. Orlova, M.A. Gribelyuk, A.K. Gutakovsky, Yu.O. Kanter, S.M. Pintus, S.V. Rubanov, S.I. Stenin, A.A. Fedorov. Ultramicroscopy 35, 11 (1991)

V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)

E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)

T.J. Gosling. J. Appl. Phys. 74, 5415 (1993)

R. Hull, J.C. Bean, D.J. Werder, R.E. Leibenguth. Phys. Rev. B 40, 1681 (1989)

D.C. Houghton. J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991)

C.G. Tuppen, C.J. Gibbins. J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990)

F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett. 72, 876 (1994)

Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002)

Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, Л.В. Соколов. ФТП 41, 1251 (2007)

J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель