Издателям
Вышедшие номера
Межкластерная проводимость слаболегированных манганитов La1-xCaxMnO3 в парамагнитной области температур
Солин Н.И.1, Наумов С.В.1, Арбузова Т.И.1, Костромитина Н.В.1, Иванченко М.В.2, Саранин А.А.2, Чеботаев Н.М.1
1Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: solin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

В температурном интервале от 77 до 400 K исследованы магнитотранспортные и магнитные свойства отожженных в вакууме и в атмосфере кислорода поликристаллов La1-xCaxMnO3 (x=0-0.3). Магнитные исследования слаболегированных манганитов показывают сохранение ближнего магнитного порядка до температуры T*~300 K, которая примерно в 2-3 раза выше их температуры Кюри TC. Температурная зависимость электросопротивления от T* почти до T~ TC описывается выражением ~ T-1/2, характерным для гранулированных металлов при туннелировании электронов между распыленными в диэлектрической матрице нанокластерами магнитных металлов. Обнаружено увеличение магнитосопротивления поликристаллов при отжиге в атмосфере кислорода. Электрические, магнитные и магнитотранспортные свойства манганитов объясняются появлением ниже T* магнитных нанокластеров, туннелированием (или прыжками) носителей между ними, изменениями размеров магнитных кластеров, толщины туннельного барьера в зависимости от температуры, напряженности магнитного поля, а также влиянием отжига в разных атмосферах на свойства кластеров. Работа поддержана программами Президиума РАН "Квантовая макрофизика", ОФН РАН "Новые материалы и структуры" и выполнена в рамках программы научного сотрудничества УрО РАН и ДВО РАН. PACS: 75.47.Gr, 75.47.Lx, 72.15.Lx
  • A.J. Millis, P.B. Littlewood, B.I. Shraiman. Phys. Rev. Lett. 74, 5144 (1995)
  • M. Jaime, M.B. Salamon, M. Rubinstein, R.E. Treece, J.S. Horwitz, D.B. Chriesey. Phys. Rev. B 54, 11 914 (1996)
  • A.S. Alexandrov, A.M. Bratkovssky. Phys. Rev. Lett. 82, 141 (1999); A.S. Alexandrov, A.M. Bratkovssky. J. Phys.: Cond. Matter 11, 1989 (1999)
  • C.M. Varma. Phys. Rev. B 54, 7328 (1996)
  • L. Sheng, D.Y. Xing, D.N. Sheng, C.S. Ting. Phys. Rev. Lett. 79, 1710 (1997)
  • M.B. Salamon, M. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 583 (2001)
  • Э.Л. Нагаев. УФН 166, 833 (1996); Письма в ЖЭТФ 6, 484 (1967)
  • A. Moreo, S. Yunoki, E. Dagotto. Science 283, 2034 (1999)
  • E. Dagotto. New J. Phys. 7, 67 (2005)
  • M. Hennion, F. Mussa, G. Biotteau, J. Rodriguez-Carvajal, L. Pinsard, A. Revcolovschi. Phys. Rev. Lett. 81, 1957 (1998); Phys. Rev. B 61, 9513 (2000); G. Biotteau, M. Hennion, F. Mussa, J. Rodriguez-Carvajal, L. Linsard, A. Revcolevschi, Y.M. Mukovskii, D. Shulytev. Phys. Rev. B 64, 104 421 (2001)
  • С.Ф. Дубинин, В.Е. Архипов, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Н. Лошкарева, Н.И. Солин. ФТТ 45, 2192 (2003)
  • R.M. Kusters, J. Singleton, D.A. Keen, R.McGreevy, W. Hayes. Physica B 155, 362 (1989)
  • J.M.De Teresa, M.R. Ibarra, P.A. Algarabel, C. Ritter, C. Margulna, Z. Arnold. Nature 386, 256 (1997)
  • R.B. Griffits. Phys. Rev. Lett. 23, 17 (1969)
  • M.B. Salamon, P. Lin, S.H. Chun. Phys. Rev. Lett. 88, 197 203 (2002); M.B. Salamon, S.H. Chun. Phys. Rev. B 68, 014 411 (2003); N. Rama, M.S. Ramachandra Rao, V. Sankaranarayanan, P. Majevski, S. Gepraegs, M. Opel, R. Gross. Phys. Rev. B 70, 224424 (2004); V.A. Ivanshin, J. Deisenhofer, H.A. Krug von Nidda, A. Loidl. J. Mang. Mang. Mater. 310, 1966 (2007)
  • Л.И. Королева, Р.В. Демин, А.М. Балбашов. Письма в ЖЭТФ 65, 449 (1997)
  • Н.И. Солин, В.А. Казанцев, Л.Д. Фальковская, С.В. Наумов. ФТТ 47, 1826 (2005)
  • Н.А. Бабушкина, Е.А. Чистотина, К.И. Кугель, А.Л. Рахманов, О.Ю. Горбенко, А.Р. Кауль. ФТТ 45, 480 (2003)
  • К.И. Кугель, А.Л. Рахманов, А.О. Сбойчаков, М.Ю. Каган, И.В. Бродский, Л.В. Клапцов. ЖЭТФ 125, 648 (2004)
  • Н.И. Солин. ЖЭТФ 128, 623 (2005); Н.И. Солин, В.В. Машкауцан, А.В. Королев, Н.Н. Лошкарева, Л. Пинсард. Письма в ЖЭТФ 77, 275 (2003)
  • R. Shiozaki, K. Takenaka, Y. Savaki, S. Sugai. Phys. Rev. B 63, 184 419 (2001)
  • J.F. Mitchell, D.N. Argyriou, C.D. Potter, D.G. Hinks, J.D. Jorgensen, S.D. Bader. Phys. Rev. B 54, 16 172 (1996)
  • Y.H. Hyang, M. Karppinena, H. Yamauchi, J.B. Goodenough. J. Appl. Phys. 98, 033 911 (2005)
  • M. Croft, D. Sills, M. Greenblatt, C. Lee, K.V. Ramanujachary, D. Tran. Phys. Rev. B 55, 8726 (1997)
  • A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, Ya.M. Mukovskii. J. Cryst. Growth 167, 365 (1996)
  • F. Mussa, M. Hennion, J. Rodriguez-Carvajal, H. Moudden, L. Pinsard, A. Revcolevschi. Phys. Rev. B 54, 15 149 (1996)
  • T. Okuda, Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Tokura. Phys. Rev. B 61, 8009 (2000)
  • В.Е. Найш. ФММ 92, 16 (2001)
  • R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P. Petrenko, J. Salminen, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Phys.: Cond. Matter 12, 5751 (2000); R. Laiho, E. Lahderanta, J. Salminen, K.G. Lisunov, V.S. Zakhvalinskii. Phys. Rev. B 63, 094 405 (2001)
  • L. Ghivelder, I. Abrego Castillo, M.A. Gusmao, J.A. Alonso, L.F. Cohen. Phys. Rev. B 60, 12 184 (1999)
  • D.N.H. Nam, K. Jonason, P. Nordblad, N.V. Khiem, N.X. Phuc. Phys. Rev. B 59, 4189 (1996)
  • М.Ю. Каган, К.И. Кугель. УФН 171, 577 (2001)
  • A.L. Rakhmanov, K.I. Kugel, Ya.M. Blanter, M.Yu. Kagan. Phys. Rev. B 63, 174 424 (2001); А.О. Сбойчаков, А.Л. Рахманов, К.И. Кугель, М.Ю. Коган, И.В. Бродский. ЖЭТФ 122, 869 (2002)
  • P. Sheng, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 28, 34 (1972); J.S. Helman, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 37, 1429 (1976)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  • A.A. Taskin, A.N. Lavrov, Yoichi Ando. Phys. Rev. B 71, 134 414 (2005); J. Wu, J.W. Lynn, C.J. Glinka, J. Burley, H. Zheng, J.F. Mitchell, C. Leighton. Phys. Rev. Lett. 94, 037 201 (2005); L. Balcells, J. Fontcuberta, B. Martinez, X. Obradors. Phys. Rev. B 58, R 14 697 (1998)
  • A. Maignan, C. Martin, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, B. Raveau. Phys. Rev. B 60, 15 214 (1999)
  • I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys. 18, 41 (1969); Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. Пер. с англ. Мир, М. (1982). Гл. 2--4, 6
  • J. Inoue, S. Maekawa. Phys. Rev. B 53, R 11 927 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.