Вышедшие номера
Особенности гальваномагнитных и магнитных свойств монокристаллов HgCr2Se4 с добавками In и Ga
Королева Л.И., Михеев М.Г., Левшин В.А., Курбанклычев И.К., Бельский Н.К.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

В монокристаллах HgCr2Se4 : Ga, близких к стехиометрии, обладающих высоким удельным электросопротивлением rho~= 10/ 105 Ом · см и резким максимумом rho в точке Кюри Tc, обнаружено изотропное гигантское положительное магнетосопротивление (МС) выше Tc. В этих кристаллах немного ниже Tc сначала наблюдается гигантское отрицательное МС ~90 % в поле 43 кЭ, затем МС меняет знак и сразу выше Tc становится положительным, достигая в максимуме ~17 %. Монокристаллы HgCr2Se4 : In, имеющие отклонения от стехиометрии и обладающие низкой величиной rho~ 1/ 10 Ом · см, обнаруживают значительно меньшее возрастание rho (приблизительно в три раза) в районе Tc и отрицательное МС ~ 70 % немного ниже Tc. Максимумы положительного МС, модуля отрицательного МС, rho (для HgCr2Se4 : Ga) и кривые намагниченности от температуры в районе Tc смещаются под действием магнитного поля в сторону более высоких температур. Указанные особенности МС и намагниченности объясняются с помощью примесных ферронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.