Исследовано экситонное комбинационное рассеяние света с частотой, соответствующей области фундаментального поглощения, в двумерной электронной системе. Проанализированы частотные и угловые зависимости сечения рассеяния света для различных поляризаций возбуждающего и рассеянного света. Приведены результаты численных оценок для гетероструктур GaAs/AlGaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.