Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 331
<<<>>>
Диэлектрические свойства кристаллов глицин фосфита в модели фазового перехода с учетом инвариантов высокого порядка
Балашова Е.В.1, Леманов В.В.1, Панкова Г.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
PDF версия
Исследованы диэлектрические аномалии в области сегнетоэлектрического фазового перехода в номинально чистых кристаллах глицин фосфита (GPI) и в кристаллах GPI с 2 mol.% примеси глицин фосфата (GP). Показано, что присутствие в кристалле GPI-GP внутренней макроскопической поляризации, обусловленной примесью, приводит к размытию диэлектрических аномалий как вдоль, так и перпендикулярно оси спонтанной поляризации. В кристаллах GPI и GPI-GP в сегнетоэлектрической фазе обнаружено необычное изменение обратной диэлектрической проницаемости в направлении Z, перпендикулярном оси спонтанной поляризации Y, которое описывается степенной зависимостью (Tc-T)n при значении степени n больше единицы. Для описания экспериментальных данных предложена термодинамическая модель с двумя параметрами порядка eta и P, имеющими различную физическую природу, но одинаковую симметрию (смещение (eta) и порядок-беспорядок (P) ), учитывающую инварианты связи типа eta P и eta3P, а в случае кристаллов GPI-GP - также встроенную поляризацию. Получено хорошее соответствие между экспериментальными и теоретическими зависимостями. Определены коэффициенты билинейного и нелинейного взаимодействия между параметрами порядка. Показано, что фазовый переход в исследованных кристаллах близок к трикритической точке, а необычное температурное поведение диэлектрической проницаемости объясняется вкладом высоких инвариантов связи. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 04-02-17667, N 05-02-16012), грантом НШ-5169.2006.2 и программой ОФН РАН. PACS: 77.22.-d, 77.80.-e
  1. S. Dacko, Z. Czapla, J. Baran, M. Drozd. Phys. Lett. A 223, 217 (1996)
  2. В.В. Леманов, С.Г. Шульгин, В.К. Ярмаркин, С.Н. Попов, Г.А. Панкова. ФТТ 46, 1246 (2004)
  3. Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. ФТТ 47, 176 (2005)
  4. Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. Изв. РАН. Сер. физ. 69, 935 (2005)
  5. B. Kosturek, J. Baran. Ferroelectrics Lett. 27 (1--2), 11 (2000)
  6. Е.В. Балашова, В.В. Леманов, Г.А. Панкова. ФТТ 43, 1275 (2001)
  7. J.A. Moreira, A. Almeida, L.G. Viera, J.L. Ribeiro, M.R. Chaves, M.L. Santos, A. Klopperpieper. Phys. Rev. B 72, 094 111 (2005)
  8. R. Tchukvinskyi, Z. Czapla, R. Sobeistianskas, A. Brilingas, J. Grigas, J. Baran. Acta Phys. Polonika A 92, 1191 (1997)
  9. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). (B.A. Strukov, A.P. Levanyuk. Ferroelectrics Phenomena in Crystals. Springer-Verlag, Berlin (1998).)
  10. Е.М. Лифшиц. ЖЭТФ 14(9), 353 (1944)
  11. А.П. Плетнюк, Д.Г. Санников. ЖЭТФ 55, 256 (1968)
  12. J. Holakovsky. Phys. Stat. Sol. (b) 56, 615 (1973)
  13. Ю. Гуфман, Е.С. Ларин. ФТТ 22, 463 (1980)
  14. E.V. Balashova, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. B 48, 9979 (1993)
  15. Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jpn. 63, 2082 (1994)
  16. I. Stasyuk, Z. Czapla, S. Dacko, O. Velychko. Condens. Metter Phys. 6, 483 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme