Анализируется распределение поля световой волны в окрестности магнитного дефекта одномерного фотонного кристалла. Показано, что, варьируя толщину магнитного дефекта или изменяя параметры обрамляющего дефект фотонного кристалла, можно создать такую ситуацию, когда электрическое поле световой волны в основном сконцентрировано внутри магнитного слоя или, наоборот, максимально вблизи его поверхности. Это позволяет при наличии диссипации в магнитном слое оптимизировать добротность магнитного микрорезонатора и, следовательно, увеличить линейные и нелинейные магнитооптические эффекты. Обсуждается возможность разделения вкладов в нелинейную магнитооптику от поверхности и объема магнитного материала путем изменения распределения поля по толщине дефекта. Работа выполнена при поддеркже РФФИ (грант N 04-02-16830), РФФИ--JSPS (гранты N 05-02-19886 и 06-02-16604). PACS: 42.70.Qs, 42.60.Da, 78.20.Ls, 85.70.Sq
K.J. Vahala. Nature 424, 839 (2003)
M. Inoue, R. Fujikawa, A. Baryshev, A. Khanikaev, P.B. Lim, H. Uchida, O.A. Aktsipetrov, T.V. Murzina, A.A. Fedyanin, A.B. Granovsky. J. Phys. D: Appl. Phys. 39, R 151 (2006)
O.A. Aktsipetrov, T.V. Dolgova, A.A. Fedyanin, T.V. Murzina, M. Inoue, K. Nishimura, H. Uchida. J. Opt. Soc. Am. B 22, 176 (2005)
Ю.В. Борискина, С.Г. Ерохин, А.Б. Грановский, А.П. Виноградов, M. Inoue. ФТТ 48, 674 (2006)
А.П. Виноградов, С.Г. Ерохин, А. Грановский, М. Инуе. РЭ 49, 96 (2004)
А.П. Виноградов, С.Г. Ерохин, А. Грановский, М. Инуе. РЭ 49, 726 (2004)
A. Granovsky, M. Kuzmichov, J.P. Clerc, M. Inoue. J. Magn. Magn. Mater. 258--259, 103 (2003)
T.V. Murzina, R.V. Kapra, T.V. Dolgova, A.A. Fedyanin, O.A. Aktsipetrov, K. Nishimura, H. Uchida, M. Inoue. Phys. Rev. B 70, 012 407 (2004)
О.А. Акципетров. Частное сообщение
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук