Издателям
Вышедшие номера
Болометрический приемник, встроенный в объём поликристаллического CVD-алмаза
Галкина Т.И.1, Клоков А.Ю.1, Шарков А.И.1, Хмельницкий Р.А.1, Гиппиус А.А.1, Дравин В.А.1, Ральченко В.Г.2, Савельев А.В.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: shark@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Разработан и изготовлен быстродействующий болометрический приемник, встроенный в пластину выращенного из газовой фазы поликристаллического алмаза. Рабочим элементом болометра является полученный путем имплантации ионов C+ и последующего отжига заглубленный графитизированный слой с температурно-чувствительным сопротивлением. Изучена кинетика отклика структуры на импульсное облучение азотным лазером ЛГИ-21 (lambda=337 nm, tauP~8 ns). Ширина откликов на полувысоте при комнатной температуре составляет ~20 ns. Картины пространственно-временного распределения откликов структуры позволили разделить тепловые (болометрические) сигналы от сигналов иной природы (фотопроводимость/фотоэдс). Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 05-02-08294-офи\_а, 04-02-17060 и 05-02-08076-офи\_э). PACS: 07.57.Kp, 81.05.Uw, 67.80.Gb
  • А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Т.И. Галкина, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин, А.А. Гиппиус. Письма в ЖТФ 27, 21 (2001)
  • Low-Pressure Synthetic Diamond: Manufacturing and Applications / Eds B. Dischler, C. Wild. Springer, Berlin (1998). 384 p
  • S.E. Coe, R.S. Sussmann. Diamond and Related Mater. 9, 1726 (2000)
  • Е.В. Ивакин, А.В. Суходолов, В.Г. Ральченко, А.В. Власов, А.В. Хомич. Квантовая электрон. 32, 367 (2002)
  • D.C. Hurly, A.G. Every, J.P. Wolfe. J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 3157 (1984)
  • L. Nistor, V. Ralchenko, I. Vlasov, A. Khomich, R. Khmelnitskii, P. Potapov, J. Van Landuyt. Phys. Stat. Sol. (a) 186, 207 (2001)
  • V. Ralchenko, T. Galkina, A. Klokov, A. Sharkov, S. Chernook, V. Martovitsky. In: "Science and Technology of Semiconductor--On--Insulator Structure and Devices Operating in a Harsh Environment" / Eds D. Flandre et al. Kluwer (2005). P. 77
  • A.V. Sukhadolau, E.V. Ivakin, V.G. Ralchenko, A.V. Khomich, A.V. Vlasov, A.F. Popovich. Diamond and Related Mater. 14, 589 (2005)
  • P.F. Lai, S. Prawer, L.A. Bursill. Diamond and Related Mater. 10, 82 (2001)
  • M.S. Dresselhaus, R. Kalish. Ion Implantation in Diamond, Graphite and Related Materials / Eds U. Gonser, A. Mooradian, R.M. Osgood, M.B. Panish, H. Sasaki. Springer Series in Material Sciences. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg (1992). Vol. 22. 202 p
  • R.A. Khmelnitskiy, V.A. Dravin, A.A. Gippius. J. Chem. Vapor Depos. 5, 121 (1996)
  • A.V. Khomich, V.I. Kovalev, E.V. Zavedeev, R.A. Khmelnitskiy, A.A. Gippius. Vacuum 78, 583 (2005)
  • A.I. Sharkov, T.I. Galkina, A.Yu. Klokov, R.A. Khmelnitskii, V.A. Dravin, A.A. Gippius. Vacuum 68, 263 (2003)
  • J.E. Graebner. Diamond and Related Mater. 5, 1366 (1996)
  • Справочник "Физические величины" / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мелиховой. МЖ Энергоатомиздат (1991). С. 201 и 344
  • Справочник "Полиморфные модификации углерода и нитрида бора" Под ред. А.В. Курдюмова, А.Н. Пилянкевич. Металлургия, М. (1994). С. 137
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.