"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства гетеропереходов CdS/CuInSe2 и CdSe/CuInSe2, полученных методом химического осаждения
Бекимбетов Р.Н., Карпов И.И., Медведкин Г.А., Смирнова А.Д., Островская И.К.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Разработан метод химического осаждения тонких слоев n-CdS и n-CdSe на поверхность крупноблочных поликристаллов p-CuInSe2. Приведены электрические параметры полученных слоев и кристаллов. Исследованы темновые вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетеропереходов CdS/CuInSe2 и CdSe/CuInSe2 при T=300 K. Рассмотрены особенности свойств гетеропереходов непосредственно после нанесения слоев полупроводников II-VI и полученных в результате проведения последующего рекристаллизационного отжига при T=270/400oС и t=5/30 мин. Указано на экономическую перспективность и высокую технологичность метода химического осаждения для создания выпрямляющих гетеропереходов, фоточувствительных в широком диапазоне длин волн.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.