Рассмотрена диффузионная модель захвата позитронов дефектами в кристаллах. На основе решения уравнения диффузии получено выражение для определения вероятности захвата позитронов дислокациями. Показано, что введение в модель члена, описывающего захват, через граничное условие приводит к более корректным результатам, чем опубликованные ранее.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.