"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Использование эффекта переключения в неупорядоченных полупроводниках для формирования пикосекундных перепадов электрического напряжения
Балявичюс С., Тамашявичюс А., Пошкус А., Шикторов Н., Бабянскас Э.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Экспериментально в неупорядоченных пленках InxTe1-x, GaxTe1-x, GexTe1-x и SixTe1-x изучен эффект переключения, в результате которого формируется перепад электрического напряжения длительностью в несколько десятков пикосекунд. Установлены факторы, влияющие на длительность этого перепада. В схеме обострителя, используя в качестве механизма переключения процесс ударной ионизации, проведен анализ параметров сформированного импульса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.