Исследованы особенности структуры и свойств пленок CdTe на (100) GaAs, полученных синтезом из МОС при больших скоростях роста. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев CdTe изучалось с помощью рентгенограмм качания, электронографии и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что пленки CdTe являются монокристаллическими, с ориентацией (100) и по качеству не уступают объемным образцам. Пленки имели n-тип проводимости, удельное сопротивление 10⁵-5· 10⁶ ом·см подвижность 870 см²/В·с при концентрации 1.5-2·10⁹ см^-3. Из измерения спектров фотолюминесценции при 77^o слоев, выращенных при разных температурах, определены полосы излучения, связанные с вакансиями кадмия, обнаружена ранее не описанная полоса излучения с hnu~=1.18 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.