"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения на интенсивность излучения релятивистских электронов в кристалле Si
Касилов В.И., Лапин Н.И., Щербак С.Ф.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.