Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления

Бахтинов А.П.¹, Ковалюк З.Д.¹, Сидор О.Н.¹, Катеринчук В.Н.¹, Литвин О.С.²

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: chimsp@unicom.cv.ua

Поступила в редакцию: 22 июня 2006 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы морфологические изменения поверхности InSe при окислении на воздухе и влияние особенностей гетерограницы оксид-слоистый полупроводник на фотоэлектрические свойства структуры In₂O₃-InSe. Установлено, что в результате окисления слоистого полупроводника InSe может быть сформирована упорядоченная наноразмерная гетерограница, которая определяет высокую фоточувствительность гетероструктуры In₂O₃-InSe в спектральной области экситонного поглощения при комнатной температуре. PACS: 61.46.Df, 78.68.+m

А.И. Дмитриев, Г.В. Лашкарев, З.Д. Ковалюк, Г.В. Бекетов. Тез. докл. II Укр. наук. конф. з фiзики напiвпровiдникiв УНКФН-2. Черновцы--Вижница, Украина (2004). С. 185
K. Ueno, K. Sasaki, K. Saiki, A. Koma. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 511 (1999)
С.И. Драпак, А.П. Бахтинов, С.В. Гаврилюк, Ю.И. Прилуцкий, З.Д. Ковалюк. ФТТ 48, 1515 (2006)
E. Wisotzki, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Solid Films 380, 263 (2000)
Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor. Sci. Eng. B 109, 252 (2004)
J. Martinez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes, A. Chevy. J. Appl. Phys. 62, 1477 (1987)
O.A. Balitskii. Mater. Lett. 60, 594 (2006)
К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Мир, М. (1984). 476 с
J.C. Terhell. Progr. Cryst. Growth Charact. 7, 55 (1983)
Г.А. Беленький, В.А. Гончаров, В.Д. Негрий, Ю.А. Осипьян, Р.А. Сулейманов. ФТТ 26, 3144 (1984)
Н.А. Абдулаев. ФТТ 48, 623 (2006)
S. Shigetomi, T. Ikari, N. Nishimura. Phys. Stat. Sol. (a) 185, 341 (2001)
А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен. Конденсированные среды и межфазные границы 1, 190 (1999)
D.I. Bottomley, H. Omi, Y. Kobayashi, M. Uematsu, H. Kageshima, T. Ogino. Phys. Rev. B 66, 035 301 (2003)
R. Adelung, F. Ernst, A. Scott, M. Tabib-Azar, L. Kipp, M. Skibowski, S. Hollensteiner, E. Spiecker, W. Jager, S. Gunst, A. Klein, W. Jagermann, V. Zaporojtchenko, F. Faupel. Adv. Mater. 14, 1056 (2002)
T. Ikari, S. Shigetomi, K. Nashimoto. Phys. Stat. Sol. (b) 111, 477 (1982)
Т. Судзуки, Х. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций и пластичность. Мир, М. (1989). 296 с
А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 33, 80 (2007)
Физико-химические свойства оксидов / Под ред. Г.В. Самсонова. Металлургия, М. (1978). 472 с
В.Н. Каминский, З.Д. Ковалюк, В.П. Михальченко. УФЖ 29, 240 (1984)
J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu, A. Chevy. Phys. Rev. B 17, 4718 (1978)
B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurt cu. J. Phys. D: Appl. Phys. 32, 2942 (1999)
P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, M. Cardona. Phys. Rev. B 35, 9174 (1987)
B. Gurbulak. Solid State Commun. 109, 665 (1999)
А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП 32, 326 (1998)
N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett. 69, 1343 (1996)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991)
I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg. Phys. Stat. Sol. (a) 183, 207 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель