Экспериментально исследована эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. При энергиях фотонов, меньших ширины запрещенной зоны GaN, когда эмиссия электронов обусловлена фотовозбуждением поверхностных и приповерхностных состояний, приращение энергии баллистических электронов равно приращению энергии возбуждающих фотонов, что подтверждает бездисперсионный характер начальных состояний. При энергиях фотонов, больших ширины запрещенной зоны, избыточная энергия света распределяется между кинетическими энергиями баллистических фотоэлектронов и дырок в зависимости от их эффективных масс. Эта закономерность была использована для определения эффективной массы дырок вдоль направления оси c кристаллической решетки GaN со структурой вюрцита, оказавшейся равной m*h\|=(0.60±0.15)m0. Работа выполнена при поддержке Российской академии наук (программа СО РАН N 9.1) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16639). PACS: 79.60.-i, 85.60.Dw
J.I. Pankove, H. Schade. Appl. Phys. Lett. 25, 53 (1974)
M. Eyckeler, W. Monch, T.U. Kampen, R. Dimitrov, O. Ambacher, M.J. Stutzmann. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2224 (1988)
C.I. Wu, A. Kahn. J. Appl. Phys. 86, 3209 (1999)
F. Machuca, Y. Sun, K. Loakemidi, P. Pianetta. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3042 (2000)
Р.Л. Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. Энергия, М. (1978). 192 с
S. Uchiyama, Y. Takagi, M. Niigaki, H. Kan, H. Kondoh. Appl. Phys. Lett. 86, 511 (2005)
P. Kozodoy, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. J. Appl. Phys. 87, 770 (2000)
C.H. Qiu, C. Hoggat, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett. 66, 2712 (1995)
C. Qiu, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett. 70, 1983 (1997)
А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелёв, О.Е. Терещенко, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Письма в ЖЭТФ 79, 592 (2004)
О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелёв, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. ФТТ 46, 1881 (2004)
M. Drecher, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys. 13, L 1178 (1995)
A.M. Witowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, M.L. Sadowski, P. Wyder. Appl. Phys. Lett. 77, 4154 (1999)
B. Monemar. In: Semiconductors and semimetals. Vol. 50 / Eds J.I. Pankove, T. Moustakos. San Diego, CA (1998). P. 305
M. Razeghi, M. Henini. Optoelectronic Devices: III-Nitrides. Elsevier, Amsterdam (2004)
R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, R. Paskiewicz, B. Paszkiewicz, M. Tlaczala. Mater. Sci. Eng. B 96, 284 (2002)
C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, H. Amano. Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996)
D.G. Chtchekine, Z.C. Feng, S.J. Chua, G.D. Gilliland. Phys. Rev. B 63, 125 211 (2001)
P.A. Shields. R.J. Nicholas, F.M. Peeters, B. Beaumont, P. Gibrat. Phys. Rev. B 64, R 081 203 (2001)
B. v Santic. Semicond. Sci. Technol. 18, 219 (2003)
A. Salvador, G. Liu, W. Kim, O. Akras, A. Botchlarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett. 67, 3322 (1995)
J.S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, A. Hangleiter. Appl. Phys. Lett. 70, 631 (1997)
D. Fritsch, H. Schmidt, M. Grundmann, Phys. Rev. B 67, 235 205 (2003)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук