Издателям
Вышедшие номера
Диаграмма устойчивости упругих доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленках
Перцев Н.А.1, Емельянов А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Теоретически исследуется статика одиночных упругих доменов (двойников) в эпитаксиальных тонких пленках тетрагональной симметрии, выращенных на кубической подложке. Рассмотрены различные возможные варианты геометрической формы домена: пластинчатая, трапецеидальная и треугольная кофигурации. Неоднородные внутренние напряжения, существующие в полидоменных эпитаксиальных системах, рассчитываются методом эффективных дислокаций. Отсюда определяются упругие энергии, запасенные в гетероструктурах с различными доменами. Путем минимизации полной внутренней энергии гетероструктуры вычисляется равновесная ширина домена. Далее из энергетических соображений строится диаграмма устойчивости одиночных доменов в эпитаксиальных пленках. Показано, что в значительной части этой диаграммы трапецеидальные домены энергетически более выгодны, чем пластинчатые домены. Исследовано влияние внешнего электрического поля на устойчивость 90o доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.
  • B.S. Kwak, A. Erbil, B.J. Wilkens, J.D. Budai, M.F. Chisholm, L.A. Boather. Phys. Rev. Lett. 68, 25, 3733 (1992)
  • Y. Gao, G. Bai, K.L. Merkle, Y. Shi, H.L.M. Chang, Z. Shen, D.J.J. Lam. J. Mater. Res. 8, 1, 145 (1993)
  • A.E.M. De Veirman, J. Timmers, F.J.G. Hakkens, J.F.M. Cillessen, R.M. Wolf. Philips J. Res. 47, 3--5, 185 (1993)
  • R. Ramesh, T. Sands, V.G. Keramidas. Appl. Phys. Lett. 63, 6, 731 (1993)
  • B.S. Kwak, A. Erbil, J.D. Budai, M.F. Chisholm, L.A. Boather, B.J. Wilkens. Phys. Rev. B49, 21, 14865 (1992)
  • J.S. Speck, A.C. Daykin, A. Seifert, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys. 78, 3, 1696 (1995)
  • Y.M. Kang, J.K. Ku, S. Baik. J. Appl. Phys. 78, 4, 2601 (1995)
  • C.M. Foster, Z. Li, M. Buckett, D. Miller, P.M. Baldo, L.E. Rehn, G.R. Bai, D. Guo, H. You, K.L. Merkle. J. Appl. Phys. 78, 4, 2607 (1995)
  • M.J. Nystrom, B.W. Wessels, J. Chen, T.J. Marks. Appl. Phys. Lett. 68, 6, 761 (1996)
  • A.L. Roitburd. Phys. Stat. Sol. (a) 37, 329 (1976)
  • J.S. Speck, W. Pompe. J. Appl. Phys. 76, 1, 466 (1994)
  • A.L. Roytburd. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 221, 255 (1991)
  • A.L. Roytburd, Y. Yu. Ferroelectrics 144, 137 (1993)
  • W. Pompe, X. Gong. Z. Suo, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 74, 10, 6012 (1993)
  • S. Little, A. Zangwill. Phys. Rev. B49, 23, 16659 (1994)
  • J.S. Speck, A. Seifert, W. Pompe, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 76, 1, 477 (1994)
  • A.L. Roytburd, Y. Yu. In: Twinning in advanced materials / Ed. M.H. Yoo and M. Wuttig. (1994). P. 217
  • N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov. J. Appl. Phys. 78, 10, 6170 (1995).
  • N.A. Pertsev, G. Arlt, A.G. Zembilgotov. Microelectronic. Eng. 29, 135 (1995)
  • N.A. Pertsev, G. Arlt, A.G. Zembilgotov. Phys. Rev. Lett. 76, 8, 1364 (1996).
  • N.A. Pertsev, G. Arlt. Ferroelectrics 123, 27 (1991)
  • Н.А. Перцев, Г. Арльт. ФТТ 33, 10, 3077 (1991)
  • A.K. Head. Proc. Roy. Soc. (London) A66, 405, 793 (1953)
  • В.И. Владимиров, А.Е. Романов. Дисклинации в кристаллах. Л. (1986). 223 с
  • G. Arlt, N.A. Pertsev. J. Appl. Phys. 70, 4, 2283 (1991)
  • M.J. Haun, E. Furman, S.J. Jang, H.A. McKinstry, L.E. Gross. J. Appl. Phys. 62, 8, 3331 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.