Издателям
Вышедшие номера
Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства
Рысаков В.М.1
1Физический институт при Педагогическом университете, 76--200 Слупск, Польша
Поступила в редакцию: 26 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Предлагается модель возникновения и развития акустоэлектрического домена в пьезополупроводниках при развитии акустической неустойчивости. Модель не только качественно объясняет все основные нетривиальные особенности развития домена, но и позволяет количественно оценить его параметры: амплитуду и длительность. Результаты оценок близки к экспериментальным данным, что свидетельствует о правильности модели.
  • В.М. Рысаков. УФН 161, 12, 1 (1991)
  • N.I. Meyer, M.H. Jorgenson. Festkorperprobleme 10, 21 (1970)
  • H. Kuzmany. Phys. Stat. Sol. (a) 25, 1, 9 (1974)
  • В.М. Рысаков. Письма в ЖТФ 16, 13, 56 (1990)
  • Ю.В. Гуляев, В.И. Пустовойт. ЖЭТФ 104, 4, 3457 (1993)
  • P.K. Tien. Phys. Rev. 171, 3, 970 (1968)
  • В.М. Рысаков. Акуст. журн. 36, 6, 180 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.