Издателям
Вышедшие номера
Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда
Сидоркин А.С.1, Даринский Б.М.1, Сигов А.С.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Исследуется влияние экранированя зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда на ширину плоскопараллельной доменной структуры. Определен период доменной структуры в рамках его отождествления с периодом модулированного распределения поляризации, возникающего по механизму потери устойчивости в сегнетоэлектрическом кристалле конечных размеров. Описано влияние на период параметров поверхностных электронных состояний, поверхностного несегнетоэлектрического слоя и экранирования свободными носителями заряда.
  • Е.В. Ченский, В.В. Тарасенко. ЖЭТФ 83, 3, 1083 (1982)
  • B.M. Darinskii, A.P. Lazarev, A.S. Sidorkin. Ferroelectrics 98, 193 (1989)
  • И.Е. Дикштейн, В.В. Тарасенко. ФТТ 31, 1, 200 (1989)
  • Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Изв. АН СССР. Сер. физ. 53, 7, 1276 (1989)
  • Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Кристаллография 36, 3, 757 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.