Изучалось влияние gamma-облучения на механические характеристики и дислокационную структуру полос скольжения кристаллов LiF при дозах облучения D=< 7.3· 10⁸ R. Оказалось, что в результате облучения происходит значительное (до 30 раз) увеличение предела текучести кристаллов tau_y, причем в первом приближении tau_y~ D^0.4. В полосах скольжения облученных кристаллов возрастают деформационный сдвиг, а также плотности винтовых и краевых компонент дислокаций, в то время как длина пробега дислокаций уменьшается. По мере облучения повышается и вероятность двойного поперечного скольжения винтовых дислокаций. Считается, что наблюдаемые эффекты связаны с образованием в облученных кристаллах различного рода дефектов, в первую очередь кластеров внедренных атомов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.