Проведены исследования катодолюминесценции (КЛ) в кристаллах ZnSe, отожженных при T=1200 K в расплаве Bi, содержащем примесь алюминия. Спектры снимались при разных уровнях возбуждения, температурах и временах задержки регистрации t₀. С увеличением t₀ интенсивность оранжевой полосы с lambda_max=630 nm (1.968 eV) в спектре КЛ уменьшается по сравнению с интенсивностью доминирующей желто-зеленой полосы с lambda_max=550 nm (2.254 eV), полуширина которой в интервале температур 6-120 K увеличивается, а при дальнейшем росте температуры уменьшается. Показано, что такое поведение желто-зеленой полосы обусловлено конкуренцией двух процессов: рекомбинации донорно-акцепторных пар и свободных электронов с локализованными на акцепторах дырками. При низких температурах преобладает первый механизм, а при высоких - второй. В области T~120 mK вклады обоих механизмов в излучение сравниваются. Результирующая бесструктурная полоса при этом имеет максимальную полуширину, обусловленную взаимодействием рекомбинирующих носителей заряда с продольными оптическими и акустическими фононами и с плазмой свободных электронов. Среднее число испущенных LO-фононов на фотон определяется в основном их взаимодействием с дырками, локализованными на глубоких акцепторах, которыми служат атомы Al, замещающие Se. Донором в рассматриваемой паре является межузельный Al.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.