Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура кристаллообразующих фулборенов BnNn
Покропивный В.В.1,2, Овсянникова Л.И.1, Ковригин С.В.1,2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики Тартуского университета, Тарту, Эстония
Email: avilon@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 12 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Сформулирован общий подход к конструированию кристаллообразующих фуллереноподобных кластеров XnYn, из которых путем кополимеризации гранями могут быть построены и синтезированы цеолитоподобные ковалентные кристаллы с алмазоподобными sp3-связями. Построен ряд наименьших кристаллообразующих кластеров нитрида бора --- фулборенов B12N12, B16N16, B18N18, B24N24, B36N36, B60N60. Методом ограниченного по спину Хартри--Фока (RHF) в базисе 6-31 G рассчитаны их оптимизированная конфигурация, электронная структура, величина переноса заряда, ширина запрещенной щели, полная энергия, энергия когезии и построены карты электронной плотности. Сравнительный расчет фулборена B60N60 методом функционала электронной плотности (DFT) показал, что метод RHF/6-31G является оптимальным с точки зрения точности и эффективности. Работа выполнена в соответствии с Государственной целевой программой C2-02 и при поддержке Эстонского фонда ESF Meede 1.1. PACS: 31.15.-p, 36.40.-c, 61.46.+w
  • Л.Н. Сидоров, М.А. Юровская, А.Я. Борщевский, И.В. Трушков, И.Н. Иоффе. Фуллерены. Изд-во МГУ им. М.В. Ломоносова "Экзамен", М. (2005). 688 с
  • G. Seifert. Nature Mater. 3, 77 (2004)
  • И.В. Станкевич, А.Л. Чистяков, Е.Г. Гальперин, Н.П. Гамбарян. ЖСХ 36, 976 (1995)
  • В.В. Покропивный, А.В. Покропивный, В.В. Скороход, А.В. Курдюмов. Докл. НАН Украины 4, 112 (1999)
  • V.V. Pokropivny, V.V. Skorokhod, G.S. Oleinik, A.V. Kurdyumov, T.S. Bartnitskaya, A.V. Pokropivny, A.G. Sisonyuk, D.V. Sheichenko. J. Solid State Chem. 54, 212 (2000)
  • T. Oku, T. Hirano, M. Kuno, T. Kusunoe, K. Niihara. Mater. Sci. Eng. B 74, 206 (2000)
  • T. Oku, M. Kuno, H. Kitahara, I. Narita. Int. J. Inorg. Mater. 3, 597 (2001)
  • A. Kasuya, R. Sivamonan, Yu.A. Barnakov, I.M. Dmitruk, T. Nirasawa, V.R. Romanyuk, V. Kumar, S.V. Mamukin, K. Tohji, B. Jeyadevan, K. Shinoda, T. Kudo, O. Terasaki, Z. Liu, R.V. Belosludov, V. Sundararsjan, Y. Kawazoe. Nature Mater. 3, 99 (2004)
  • G. Chen, K. Tang, Y. Qian. Int. J. Nanotechnology 1, 366 (2004)
  • В.В. Покропивный, А.В. Покропивный. ФТТ 46, 380 (2004)
  • R.B. Aust, H.C. Drickamer. Science 140, 817 (1963)
  • А.С. Смоляр, Ю.И. Созин, В.А. Бархоленко, С.Н. Малоштан, В.А. Куц, В.Г. Гурин, А.П. Архипов, А.Ю. Герасимов, Н.А. Развадовский, А.Н. Титенко. Сверхтвердые материалы 2, 79 (2002).
  • С.С. Бацанов, Г.Е. Блохин, А.А. Дерибас. ЖСХ 6, 227 (1965)
  • A. Sokolovska, A. Olszyna. J. Cryst. Growth 116, 507 (1992)
  • V. Pokropinvny, A. Smolyar, A. Pokropivny, V. Kuts, R. Parthc. In: Abstract of Conf. "Nanocarbon-05". ANL, Illinois, USA (2005). P. 845
  • В.В. Покропивный, А.С. Смоляр, А.В. Покропивный. ФТТ 49, 562 (2007)
  • D.M. Sheichenko, A.V. Pokropivny, V.V. Pokropivny. Semicond. Phys. 3, 550 (2000)
  • В.Л. Бекенев, В.В. Покропивный. ФТТ 48, 1324 (2006)
  • В.В. Покропивный, В.Л. Бекенев. ФТП 40, 656 (2006)
  • А.Л. Чистяков, И.В. Станкевич, А.А. Корлюков. ФТТ 47, 184 (2005)
  • E. Kaxiras, L.M. Zeger, A. Antonelli, Y. Yuan. Phys. Rev. B 49, 8446 (1994)
  • А.Н. Еняшин, В.В. Ивановская, Ю.Н. Микурин, А.Л. Ивановский. ФТТ 46, 1522 (2004)
  • В.В. Покропивный, Л.И. Овсянникова. ФТТ 49, 535 (2007)
  • E.R. Davidson. Chem. Phys. Lett. 260, 514 (1996).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.