Издателям
Вышедшие номера
Диффузия спина оптически ориентированных электронов и переизлучение в арсениде галлия n-типа
Джиоев Р.И.1, Захарченя Б.П.1, Коренев В.Л.1, Степанова М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Приводятся результаты экспериментального и теоретического исследования спинового транспорта в полупроводнике n-GaAs. Показано, что перенос среднего спина электронов от возбуждаемой светом поверхности кристалла определяется процессом спиновой диффузии. В то же время основным механизмом транспорта фотовозбужденных носителей является эффект переизлучения, распределяющий неравновесные носители заряда в глубь полупроводника на расстояние, значительно превышающее длину диффузии спина электронов. Сравнение результатов эксперимента с теорией позволяет определить диффузионную длину среднего спина и время спиновой реакции электронов.
  • G.A. Prinz. Science. 250, 1092 (1990); Phys. Today 58 (1995)
  • S.F. Alvarado. Phys. Rev. Lett. 75, 3, 513 (1995)
  • M.W. Prins J., R. Jansen, H. van Kempen. Phys. Rev. B 53, 12, 8105 (1996)
  • Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. ФТТ 37, 11, 3510 (1995)
  • Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Р.Р. Ичкитидзе, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 35, 10, 2821 (1993)
  • Оптическая ориентация. Современные проблемы науки о конденсированных средах / Под ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Наука, Л. (1989)
  • Oldwig von Roos. J. Appl. Phys. 54, 3, 1390 (1983)
  • М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТП 10, 2, 350 (1976)
  • Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 36, 9, 2752 (1994)
  • M.D. Sturge. Phys. Rev. 127, 768 (1962)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.