Издателям
Вышедшие номера
Влияние донор-донорного взаимодействия на переход металл--изолятор в легированных полупроводниках
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Рассмотрен моттовский переход металл--изолятор (МИ) в слабо компенсированных полупроводниках с простым законом дисперсии (типа InSb). Проведено микроскопическое описание перехода МИ в условиях, когда в окрестности перехода примесная зона перекрыта с зоной проводимости, а уровень Ферми расположен в зоне проводимости. Из условия минимума внутренней энергии системы электронов и доноров показано, что учет донор-донорного взаимодействия приводит к стабилизации промежуточного состояния, в котором доноры ионизованы частично. Показано, что в некотором интервале концентраций доноров, близки к критическому значению, магнитное поле, подавляя ван-дер-ваальсовские взаимодействия нейтральных доноров, индуцирует переход из диэлектрической фазы в металлическую. Проводится параллель с аналогичными эффектами в сильно компенсированных полупроводниках (переход Андерсона), связанными с эффектами слабой локализации.
  • Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор. Наука, М. (1979)
  • J. Hubbard. Proc. Roy. Soc. Lond. Ser. A 281, 401 (1964)
  • J. Spalek, W. Wojcik. Phys. Rev. B 45, 3799 (1992)
  • G.A. Thomas, Y. Ootuka, S. Kobayashi, W. Sasaki. Phys. Rev. B24, 4886 (1981); G. Biskupski, H. Dubois, J.L. Wojkievicz, A. Briggs. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys. 17, L411 (1984); Г.А. Матвеев, Ф.Т. Лончаков. ФТП 18, 4, 589 (1984); V.G.I. Deshmukh, D.P. Tunstall. J. de Phys. Colloq. C-4, 37, 329 (1976); M. Nakamura, W. Sasaki. J. Phys. Soc. Jap. 19, 236 (1964)
  • Т. Райс, Дж. Хенсел, Т. Филлипс, Г. Томас. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. Мир, М. (1980)
  • Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 29, 1, 152 (1995)
  • P. Washishta, K.S. Singwi. Phys. Rev. B6, 875 (1972)
  • В.М. Михеев. ФТТ 35, 9, 2410 (1993); В.М. Михеев. ФТТ 36, 4, 994 (1994)
  • В.М. Михеев. Вторая рос. конф. по физике полупроводников. Зеленогорск (26 февраля--1 марта 1996). Тез. докл. Т. 2. C. 100; V.M. Mikheev. Int. Conf. on Electron Lokalization and Quantum Transport in Solids. Jaszowiec, Poland (3--6 August 1996). Extend. Abstracts. 166 p
  • P. Nozieres, D. Pines. Phys. Rev. 111, 442 (1959)
  • Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел. Наука, М. (1967)
  • B.N. Finkelstein, G.E. Horowitz. Zs. Phys. 48, 118, 448 (1928)
  • W. Heitler, F. London. Zs. Phys. 44, 455 (1927); N. Rosen. Phys. Rev. 38, 2099 (1931)
  • Дж. Слэтер. Электронная структура молекул. Мир. М. (1965)
  • D.E. Khmelnitskii, A.I. Larkin. Solid State Commun. 39, 1167 (1981); B. Shapiro. Phil. Mag. B50, 241 (1984)
  • Б.А. Аранзон, Н.К. Чумаков. ФТП 30, 1, 46 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.