Издателям
Вышедшие номера
Термоэлектрические свойства облученных ионами водорода кристаллов кремния при сверхвысоком давлении до 20 GPa
Овсянников С.В.1, Щенников В.В.1, Антонова И.В.2, Щенников Вс.В.3, Шамин С.Н.1
1Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт машиноведения Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: vladimir.v@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Проведены исследования величины термоэдс S при высоком давлении P до 20 GPa для образцов p-Si, содержащих тонкий гидрогенизированный слой. В области фазового перехода в решетку со структурой белого олова (P=<10 GPa) обнаружено снижение значений S у образцов с гидрогенизированным слоем по сравнению с исходными образцами p-Si. В то же время значения S у металлических фаз высокого давления со структурой beta-Sn, орторомбической (выше 12 GPa) и простой гексагональной (выше 16 GPa), примерно одинаковы для разных групп образцов. Изменение кристаллической структуры после обработки давлением исследовано с помощью ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. Наблюдаемое снижение величины S после обработки давлением предположительно связано с образованием аморфной фазы наряду с метастабильной фазой Si-III. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16178) и INTAS (N 03-55-629). PACS: 61.10.Eq, 64.70.Kb, 72.20.Pa
  • S.K. Deb, M. Wilding, M. Somayazulu, P.F. Mc Millan. Nature 414, 528 (2001)
  • F. Yang, P. Fei. Semicond. Sci. Technol. 19, 1165 (2004)
  • S.E. Grillo, M. Ducarroir, M. Nadal, E. Tournie, J.P. Faurie. J. Phys. D: Appl. Phys. 36, L5 (2003)
  • В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов. ФТП 36, 598 (2002)
  • О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась. ФТП 37, 93 (2003)
  • И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 16, 958 (1983)
  • С.В. Овсянников, В.В. Щенников. Письма в ЖЭТФ 80, 41 (2004)
  • С.В. Овсянников, В.В. Щенников, А. Мисюк. Письма в ЖЭТФ 80, 459 (2004)
  • С.В. Овсянников, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий. Письма в ЖЭТФ 81, 203 (2005)
  • R. Meaudre, M. Meaudre, R. Butte, S. Vignoli. Thin Solid Film 366, 207 (2000)
  • R.G. Mathur, R.M. Mehra, P.C. Mathur. J. Appl. Phys. 83, 5855 (1998)
  • O. Yamashita. J. Appl. Phys. 95, 178 (2004)
  • L.G. Khvostantsev, L.F. Vereshchagin, N.M. Uliyanitskaya. High Temp.-High. Pres. 5, 261 (1973)
  • D.A. Polvani, J.E. Meng, M. Hasegawa et al. Rev. Sci. Instrum. 70, 3586 (1999)
  • R.D. Barnard. Thermoelectricity in metals and alloys. Taylor and Francis, London (1972)
  • F.J. Blatt, P.A. Schroeder, C.L. Foiles, D. Greig. Thermoelectric power of metals. Plenum, N. Y.--London (1976)
  • V.V. Shchennikov, S.V. Gudina, A. Misiuk, S.N. Shamin. Physica B 340-342, 1026 (2004)
  • V.V. Shchennikov, S.V. Gudina, A. Misiuk, S.N. Shamin, S.V. Ovsyannikov. Europ. Phys. J.: Appl. Phys. 27, 145 (2004)
  • A. Mujica, A. Rubio, A. Munoz, R.J. Needs. Rev. Mod. Phys. 75, 863 (2003)
  • J.M. Besson, E.H. Mokhtari, J. Gonzales, G. Well. Phys. Rev. Lett. 59, 473 (1987)
  • G. Weill, J.L. Mansot, G. Sagon, C. Carlone, J.M. Besson. Semicond. Sci. Tech. 4, 280 (1989)
  • В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Киев, Наук. думка (1988). С. 424
  • V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov, G.V. Vorontsov, V.V. Shchennikov, jr. Phys. Stat. Sol. (b) 241, 3203 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.