Издателям
Вышедшие номера
Механизм адсорбции молекул H2S на поверхности GaAs(100): квантово-химический анализ из первых принципов
Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Для изучения механизма адсорбции молекулы H2S на галлиевую поверхность GaAs(100) проводились квантово-химические кластерные расчеты из первых принципов в рамках теории функционала плотности. Показано, что адсорбция может проходить четыре стадии: молекулярная адсорбция; диссоциативная адсорбция, при которой радикал HS адсорбируется на атом галлия, составляющий димер, а отделившийся атом водорода --- на другой поверхностный атом полупроводника; миграция адатома водорода между соседними поверхностными атомами полупроводника; формирование мостиковой связи Ga-S-Ga и молекулы водорода. Определены энергии стационарных состояний и энергетические барьеры для переходов между этими состояниями. Выводы, сделанные на основании анализа рассчитанных диаграмм потенциальной энергии протекающих процессов, находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными, имеющимися в литературе. PACS: 68.43.Bc, 68.43.Jk
  • F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev. 100, 2505 (2000)
  • L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1416 (1988)
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhatt. Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987)
  • S. Lodha, D.B. Janes. Appl. Phys. Lett. 85, 2809 (2004)
  • J.-K. Yang, H.-H. Park, H. Kim, H.W. Jang, J.-L. Lee, S. Im. Thin Solid Films 447--448, 626 (2004)
  • Z.Y. Liu, D.A. Saulys, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett. 85, 4391 (2004)
  • X. Zhang, A.Z. Li, C. Lin, Y.L. Cheng, G.Y. Xu, M. Qi, Y.G. Zhang. J. Cryst. Growth 251, 782 (2003)
  • A. Gin, Y. Wei, A. Hood, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, M. Tidrow. Appl. Phys. Lett. 84, 2037 (2004)
  • T. Tiedje, K.M. Colbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B 7, 837 (1989)
  • H. Kawanishi, Y. Sugimoto, K. Akita. J. Appl. Phys. 70, 805 (1991)
  • E. Deichsel, G. Franz. J. Vac. Sci. Technol. A 22, 2201 (2004)
  • E. Dudzik, C. Muller, I.T. McGovern, D.R. Lloyd, A. Patchett, D.R.T. Zahn, T. Johal, R. McGrath. Surf. Sci. 344, 1 (1995)
  • M. Cakmak, G.P. Srivastava. Phys. Rev. B 57, 4486 (1998)
  • Y. Ishikawa, T. Fujui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1163 (1997)
  • J.S. Foord, E.T. FitzGerald. Surf. Sci. 306, 29 (1994)
  • M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1837 (1995)
  • S.I. Yi, C.-H. Chung, W.H. Weinberg. J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1168 (1997)
  • H.H. Huang, Z. Zou, X. Jiang, G.Q. Xu. Surf. Sci. 396, 304 (1998)
  • M.D. Pashley. Phys. Rev. B 40, 10 481 (1989)
  • Q. Fu, L. Li, R.F. Hicks. Phys. Rev. B 61, 11 034 (2000)
  • Q. Fu, L. Li, C.H. Li, M.J. Begarney, D.C. Law, R.F. Hicks. J. Phys. Chem. B 104, 5595 (2000)
  • A. Jenichen, C. Engler. J. Phys. Chem. B 104, 8210 (2000)
  • M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, G.E. Scuseria, et al. Gaussian 03. Revision C.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT (2004)
  • J.P. Perdew, K. Burke, Y. Wang. Phys. Rev. B 54, 16 533 (1996)
  • C. Adamo, V. Barone. J. Chem. Phys. 108, 664 (1998)
  • G. Igel-Mann, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys. 65, 1321 (1988)
  • A. Bergner, M. Dolg, W. Kuechle, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys. 80, 1431 (1993)
  • T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B 42, 11 194 (1990)
  • X.M. Wei, Q.P. Liu, Z. Zou, G.Q. Xu. Appl. Phys. Lett. 73, 2793 (1998)
  • Z. Zou, X.M. Wei, Q.P. Liu, H.H. Huang, W.S. Sim, G.Q. Xu, C.H.A. Huan. Chem. Phys. Lett. 312, 149 (1999)
  • C.-H. Chung, S.I. Yi, W.H. Weinberg. Appl. Phys. Lett. 69, 3369 (1996)
  • N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, S. Matsumoto, H. Higuchi. Appl. Phys. Lett. 63, 3035 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.