"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Теоретическая модель для описания деградации тонких водородсодержащих пленок
Гадияк Г.В.1, Гадияк В.Г.2, Косинова М.Л.3, Сальман Е.Г.3
1Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Предложена новая теоретическая модель для описания поведения пленок составных водородсодержащих соединений при термических обработках. В основе модели лежит термическая генерация атомов водорода и атомов составных соединений с их последующей диффузией к границам и просачиванием через поверхность в атмосферу. Выполнены расчеты по термической обработке пленок нитрида кремния. Сравнение с литературными экспериментальными данными показывает высокую эффективность предлагаемой модели.
  • Akkerman Z.L., Fainer N.I., Kosinova M.L. et al. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1992. Vol. 1783. P. 530--540
  • Akkerman Z.L., Kosinova M.L., Fainer N.I. et al. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 260. P. 156--160
  • Polyakov O.V., Badalian M.V. // Phys. Stat. Sol. (b) 1994. Vol. 185. P. K1--K4
  • Ржанов А.В. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1982. 312 с
  • Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П. и др. // Неорган. материалы. 1990. Т. 26. N 5. С. 988--992
  • Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П. и др. // Неорган. материалы. 1990. Т. 26. N 5. С. 993--995
  • Chramova L.V., Chusova T.P., Kokovin G.A. // Thin Solid Films. 1987. Vol. 147. P. 267--273
  • Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 278 с
  • Robertson J. // Philosophical Magazine B. 1994. Vol. 69. N 2. P. 307--326
  • Warren W.L., Robertson J., Kanicki J. // Appl. Phys. Lett. 1993. P. 2685-2697
  • Гадияк Г.В. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 3. С. 257--263
  • Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 313 с
  • Stein H.J. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. // 1986. Vol. 59. P. 523--531
  • Качурин Г.А., Тысченко И.Е. // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 6. C. 3-12
  • Deal B.E., Grove A.S. // J. Appl. Phys. 1965. Vol. 36. P. 3770--3785
  • Храмова Л.В., Чусова Т.П., Гриценко В.А. и др. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1984. Т. 1. С. 10--11
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.