"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов
Дарзнек С.А.1, Месяц Г.А.1, Рукин С.Н.1
1Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Разработана физико-математическая модель для расчета динамики электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов. Модель учитывает реальный профиль легирования полупроводниковой p+-p-n-n+-структуры и следующие элементарные процессы в электронно-дырочной плазме: диффузию и дрейф носителей тока в сильных электрических полях, рекомбинацию на глубоких примесях и оже-рекомбинацию, а также ударную ионизацию в плотной плазме. Расчет электрической схемы накачки прерывателя основан на решении уравнений Кирхгофа. На основании модели проанализировано движение плазмы в полупроводниковой структуре. Показано, что при сверхвысоких уровнях накачки обрыв тока в прерывателе происходит в высоколегированных областях p+-p-n-n+-структуры и связан с насыщением скорости дрейфа частиц в сильных электрических полях.
  • Mazzola M.S., Schoenbach K.H., Lakdawala V.K., Ko S.T. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55. P. 2102
  • Stoudt D.C., Kenney J.S., Schoenbach K.H. // Proc. 9-=SUP=-th-=/SUP=- IEEE Int. Pulsed Power Conf. Albuquerque, NM (USA), 1993. Vol. 1. P. 123--126
  • Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988. 117 с
  • Любутин С.К., Рукин С.Н., Тимошенко С.П. // Тез. докл. IX Симпозиум по сильноточной электронике. Россия, 1992. С. 218--219
  • Дарзнек С.А., Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. // ДАН. 1994. Т. 334. N 3. C. 304--306
  • Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н., Филатов А.Л. // ДАН. 1993. Т. 330. N 3. C. 315--317
  • Kotov Yu.A., Mesyats G.A., Rukin S.N. et al. // Proc. 9-=SUP=-th-=/SUP=- IEEE Int. Pulsed Power Conf. Albuquerque, NM (USA), 1993. Vol. 1. P. 134--139
  • Rukin S.N., Kotov Yu.A., Mesyats G.A. et al. // Proc. 10-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. on High Power Particle Beams. San Diego, CA (USA), 1994. Vol. 1. P. 33--36
  • Landolt-Boernstein. Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. Vol. 17. Subvolume a. Physics of Group IV Elements and III--V Compounds. Berlin: Springer Verlag, 1982
  • Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. 152 с
  • Ghosh R., Roy S.K. // Solid-State Electr. 1975. Vol. 18. P. 945--948
  • Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
  • Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.