"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние степени компенсации примесных уровней серы на фотопроводимость кремния в спектральной области 10.6 mum
Горлин Г.Б.1, Туланов В.Т.1, Сиябеков Х.Б.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 23 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Экспериментально исследовано влияние степени компенсации примесных уровней Si<S> на фотопроводимость в спектральной области 10.6 mum. Проведением теоретического расчета для одноуровневой системы при различной степени компенсации и для двух энергий активации (Delta E) установлено, что в 10.6 mum фотопроводимости участвуют не менее двух уровней примеси.
  • Sclar N. // Infrared Phys. 1976. Vol. 16. P. 435--438
  • Вавилов В.С., Кекелидзе И.П., Смирнов Л.С. Следствие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988
  • Жданович Н.С., Козлов Ю.И. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 10. С. 1846--1850
  • Brotherton S.D., King M.J., Parker G.J. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. N 7. P. 4649--4658
  • Camphausen D.L., Jams H.M., Sladek R.J. // Phys. Rev. 1970. Vol. 132. N 6. P. 1899--1904
  • Pajot B., Grossmann G., Astier M., Nand C. // Sol. St. Commun. 1985, Vol. 54. N 1. P. 57--60
  • Pajot B., Nand C. // J. Physqul. 1984. Vol. 45. P. 539--543
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.