Фотоприемник с переключением и памятью на гетероструктуре CdS--GaN
Дрижук А.Г.1, Сидоров В.Г.1, Сидоров Д.В.1, Шагалов М.Д.1
1Вологодский политехнический институт
Поступила в редакцию: 27 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Изготовлен фотоприемник, имеющий два стабильных состояния. Переключение оcуществляется импульсом света от внешнего источника. Состояния запоминаются до тех пор, пока на фотоприемник подано напряжение. Приведены конструкция и характеристики фотоприемника. Основой устройства является светодиодная M-i-n-GaN-структура
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (6). С. 67--71
- Павелец А.М., Федорус Г.А., Шейнкман М.К. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1973. Т. 12. С. 71--75
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (13). C. 33--36
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук