Вышедшие номера
О температуре фазового перехода по проводимости "полупроводник--металл" в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и явлении перегрева
Лебедев Э.А.1, Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Показано, что тонкие пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников могут многократно выдерживать не разрушаясь кратковременный нагрев до температур, существенно превосходящих температуру перехода "полупроводник-металл" и температуру плавления Tm.
  1. Walsh P.J., Vogel R., Evans E.J. // Phys. Rev. 1969. V. 178. N 3. P. 1274--1276
  2. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 2. С. 304--310
  3. Меден A., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. Мир, 1991. 670 с
  4. Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 486 с
  5. Thomas D.L., Male J.C. // J. Non-Cryst. Solids. 1972. V. 8--10. P. 522--530
  6. Глазов А.Л., Гуревич С.Б., Ильяшенко Н.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 3. С. 138--141
  7. Fritzsche H., Ovshinsky S.R. // J. Non-Cryst. Solids. 1970. V. 2. P. 148--154
  8. Киселёва Н.К., Коченов В.И., Лебедев Э.А. // ФТТ. 1988. Т. 30. В. 7. С. 1965--1969

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.