Издателям
Вышедшие номера
Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате
Голицына О.М.1, Камышева Л.Н.1, Дрождин С.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Обнаружено немонотонное во времени поведение температурных зависимостей проводимости сегнетоэлектрического триклицинсульфата после облучения кристалла малыми дозами рентгеновского излучения. Такое поведение предположительно связано с образованием двух типов радиационных дефектов, имеющих разное время жизни.
  • Е.В. Пешиков. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Фан, Ташкент (1972). 136 с
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
  • Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, О.М. Сердюк. ЖТФ 58, 8, 1607 (1988)
  • Л.Н. Камышева, О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Д. Масликов, А.Б. Барбашина. ФТТ 37, 2, 388 (1995)
  • А.П. Демьянчук. Автореф. канд. дис. Киев (1976). 28 с
  • Л.И. Донцова, Н.А. Тихомирова, Л.А. Шувалов. Кристаллография 39, 1, 158 (1994)
  • О.М. Сердюк, Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, А.Б. Барбашина. ФТТ 30, 2, 540 (1988)
  • С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, А.М. Саввинов, А.И. Маслаков. ФТТ 28, 8, 2541 (1986)
  • Л.И. Донцова. Автореф. докт. дис. Воронеж (1991). 36 с
  • B. Hilcher, M. Michalczyk. Ferroelectrics 22, 721 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.