"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

YBa₂Cu₃O_7-delta/CeO₂ гетероструктуры на R-плоскости сапфира

Бойков Ю.А.¹, Клаесон Т.², Эртс Д.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
²Physics Department, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
³Institute of Chemical Physics, Latvia University, Riga, Latvia

Поступила в редакцию: 13 июня 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Метод лазерного испарения был использован для формирования (001)YBa₂Cu₃O_7-delta эпитаксиальных пленок на поверхности (1102)Al₂O₃. (001) либо (111)CeO₂ тонкий буферный слой был введен между подложкой и пленкой сверхпроводника чтобы понизить химическое взаимодействие между ними. Ориентация CeO₂ буфера резко зависела от интенсивности взаимодействия ионов церия с кислородом на начальной стадии его формирования. (001)YBa₂Cu₃O_7-delta пленки были выращены эпитаксиально как на поверхности (001)CeO₂/(1102)Al₂O₃ так и на (111)CeO₂/(1102)Al₂O₃. T_c для выращенных эпитаксиальных пленок (001)YBa₂Cu₃O_7-delta находилась в пределах 88-90 K, а J_c превышала 10⁶ A/cm² (77 K).

C.T. Cheung, E. Ruckenstein. J. Mat. Res. 4, 1, 1 (1989)

M.W. Denhott, J.D. McCaffrey. J. Appl. Phys. 70, 3986 (1991)

W.L. Holstein, L.A. Parisi, D.W. Fase, X.D. Wu, S.R. Foltyn, R.E. Muenchausen. Appl. Phys. Lett. 61, 982 (1992)

A.P. Bramley, S.M. Morley, C.R.M. Grovenor, B. Pecz. Appl. Phys. Lett. 66, 517 (1995)

G.L. Skofronick, A.H. Carim, S.R. Folyn, R.E. Muenchausen. J. Mater. Res. 8, 2785 (1993)

R.W.G. Wyckoff. Crystal Structure. Interscience Publishers, N.Y. (1964). 2 nd ed. V. 1, 2. P. 3, 241

Б.Ю. Бойков, З.Г. Иванов, E. Олсон, В.А. Данилов, Т. Клаесон, М. Щеглов, Д. Эртс. ФТТ 37, 3, 880 (1995)

Yu.A. Boikov, T. Claeson, D. Erts. J. Appl. Phys., in press

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель