Вышедшие номера
YBa2Cu3O7-delta/CeO2 гетероструктуры на R-плоскости сапфира
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2, Эртс Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Physics Department, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
3Institute of Chemical Physics, Latvia University, Riga, Latvia
Поступила в редакцию: 13 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Метод лазерного испарения был использован для формирования (001)YBa2Cu3O7-delta эпитаксиальных пленок на поверхности (1102)Al2O3. (001) либо (111)CeO2 тонкий буферный слой был введен между подложкой и пленкой сверхпроводника чтобы понизить химическое взаимодействие между ними. Ориентация CeO2 буфера резко зависела от интенсивности взаимодействия ионов церия с кислородом на начальной стадии его формирования. (001)YBa2Cu3O7-delta пленки были выращены эпитаксиально как на поверхности (001)CeO2/(1102)Al2O3 так и на (111)CeO2/(1102)Al2O3. Tc для выращенных эпитаксиальных пленок (001)YBa2Cu3O7-delta находилась в пределах 88-90 K, а Jc превышала 106 A/cm2 (77 K).
  1. C.T. Cheung, E. Ruckenstein. J. Mat. Res. 4, 1, 1 (1989)
  2. M.W. Denhott, J.D. McCaffrey. J. Appl. Phys. 70, 3986 (1991)
  3. W.L. Holstein, L.A. Parisi, D.W. Fase, X.D. Wu, S.R. Foltyn, R.E. Muenchausen. Appl. Phys. Lett. 61, 982 (1992)
  4. A.P. Bramley, S.M. Morley, C.R.M. Grovenor, B. Pecz. Appl. Phys. Lett. 66, 517 (1995)
  5. G.L. Skofronick, A.H. Carim, S.R. Folyn, R.E. Muenchausen. J. Mater. Res. 8, 2785 (1993)
  6. R.W.G. Wyckoff. Crystal Structure. Interscience Publishers, N.Y. (1964). 2 nd ed. V. 1, 2. P. 3, 241
  7. Б.Ю. Бойков, З.Г. Иванов, E. Олсон, В.А. Данилов, Т. Клаесон, М. Щеглов, Д. Эртс. ФТТ 37, 3, 880 (1995)
  8. Yu.A. Boikov, T. Claeson, D. Erts. J. Appl. Phys., in press

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.