Издателям
Вышедшие номера
Переходы Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках
Нагаев Э.Л.1
1Институт физики высоких давлений Российской академии наук, Троицк, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 4 января 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Предложено обобщение критерия Мотта для перехода сильно легированного полупроводника из изолирующего в высокопроводящее состояние, которое применимо для магнитных полупроводников. На основе этого обобщения исследованы переходы изолятор--металл в ферромагнитном полупроводнике, происходящие при изменении температуры, и переходы изолятор--металл в антиферромагнитном полупроводнике, происходящие под действием магнитного поля. Результаты представляют самостоятельный интерес и для невырожденных полупроводников, поскольку дают температурную и полевую зависимости радиусов примесных состояний, энергий и намагниченностей неионизованных доноров или акцепторов.
  • M. Oliver et al. Phys. Rev. Lett. 24, 1064 (1970); T. Penny et al. Phys. Rev. B5, 3669 (1972); Y. Shapira. et al. Phys. Rev. B8, 2299 (1973)
  • Э.Л. Нагаев. УФН 166, 833 (1996)
  • Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979)
  • Ю.П. Ирхин. ФММ 6, 214, 586 (1958)
  • Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 54б, 228 (1968)
  • A. Janase, T. Kasuya. J. Phys. Soc. Jap. 25, 1025 (1968)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974)
  • Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 90, 652 (1986); ibid 92, 569 (1987)
  • T. Saitoh et al. Phys. Rev. B51, 13 942 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.