"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Прыжковая проводимость на постоянном токе в монокристаллах TlGaS₂ и TlInS₂

Мустафаева С.Н.¹, Алиев В.А.¹, Асадов М.М.¹

¹Институт физики Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлено, что при температурах T=< 200 K в слоистых монокристаллах TlGaS₂ и TlInS₂ как вдоль, так и поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотности состояний вблизи уровня Ферми, расстояния прыжков при различных температурах. В области температур 110--150 K в монокристаллах TlGaS₂ и TlInS₂ установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости.

S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. Abstracts of the 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Yokohama, Japan (August 8--12 1993). P. 281

А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП 11, 4, 780 (1977)

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)

Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c

V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B 38, 2, 327 (1977)

Б.И. Шкловский. ФТП 6, 12, 2335 (1972)

А.Э. Бахышов, Р.С. Самедов, Сафуат Булес, В.И. Тагиров. ФТП 16, 1, 161 (1982)

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неоднородные электронные состояния. ИНХ СО АН СССР, Новосибирск (1991). С. 198--199

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. Неорган. материалы 31, 3, 318 (1995)

С.Б. Вахрушев, В.В. Жданова, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 245 (1984)

К.Р. Аллахвердиев, Н.А. Бахышов, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов. ФТТ 28, 7, 2243 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель