Вышедшие номера
Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs
Васильев Д.Г.1, Евтихиев В.П.1, Токранов В.Е.1, Кудряшов И.В.1, Кочерешко В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследованы эффекты влияния разориентации подложки (001) GaAs в направлении [010] на распределение квантовых точек InAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации, по размерам и положению в матрице GaAs. Обнаружено температурное сужение линии экситонной фотолюминесценции массива квантовых точек, вызванное перераспределением фотовозбужденных носителей между точками разного размера.
  1. D. Leonard. K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B50, 11 687 (1994)
  2. J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994)
  3. A.B. Komissarov, V.P. Evtikhiev, A.K. Kryganovskii, A.N. Titkov, M. Ichida, A. Nakamura. Proc. 23rd Int. Conf. Compound Semiconductors (st. Petersburg, 1996). Inst. Phys. Conf. Ser. / Ed. M. Shur, R. Suris. (1996). N 155. Ch. 3. P. 351--354
  4. A. Patane, M. Grassi Alessi, F. Intonti, A. Polimeni, M. Capizzi, F. Martelli, M. Geddo, A. Bosacchi, S. Franchi. Proc OECS-5 / Ed. R.G. Ulbrich. Goettingen (1997)
  5. А.В. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 5, (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.