При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.
Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. Наука, М. (1984). 282 с
Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 4, 1067 (1996)
M.D. Sturge. In: Excitons / Ed. E.I. Rashba, M.D. Sturge. North-Holland, Amsterdam (1982). P. 9
D.D. Sell. Phys. Rev. 86, 3750 (1972)
C. Weisbuch. In: Semiconductors and semimetals / Ed. B. Dingle. Academic Press (1987). V. 24. P. 1
G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, R. Vladimirova, H. Gibbs, C. Khitrova. Phys. Stat. Sol. (a), 164, 193 (1997)
V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn. 8, 1235 (1993)
G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A.Vaganov. Proc. SPIE / Ed. J. Singh (1995). V. 2362. P. 561
Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 4, 1534 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.