Вышедшие номера
Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при резонансном возбуждении экситонов и биэкситонов
Хаджи П.И.1, Гайван С.Л.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Теоретически изучены бистабильные свойства тонкой полупроводниковой пленки в условиях резонансного возбуждения когерентных экситонов и биэкситонов фотонами одного либо двух различных импульсов.
  1. А.А. Гоголин, Э.И. Рашба. Письма в ЖЭТФ 17, 690 (1973)
  2. П.И. Хаджи. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Штиинца, Кишинев (1977)ю
  3. J.M. Hvam, C. Dornfeld, H. Schwab. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 387 (1988)
  4. Vu Duy Phach, A. Bivas, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 84, 731 (1977)
  5. R. Levy, B. Honerlage, J.B. Grun. Phys. Stat. Sol. (b) 150, 825 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.