Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля и высокой плотности возбуждения на люминесценцию эпитаксиальных пленок GaN
Якобсон M.A.1, Нельсон Д.К.1, Калинина Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследовано влияние поля барьера Шоттки и высокой плотности возбуждения на спектры рекомбинационного излучения эпитаксиальных пленок GaN, выращенных MOCVD методом. Обнаружено, что при обратном смещении происходит гашение люминесценции, а при прямом --- ее возгорание. Наблюдаемый эффект объясняется вариацией толщины слоя объемного заряда под действием приложенного напряжения. В условиях высокой плотности возбуждения наблюдалось возгорание новой полосы, обусловленной процессом экситон-экситонных столкновений.
  • Д.К. Нельсон, Ю.В. Мельник, А.В. Селькин, М.А. Якобсон, В.А. Дмитриев, К.Ж. Ирвин, К.Х. Картер, Мл. ФТТ 38, 3, 822 (1996)
  • R.E. Hetrick, K.F. Yeung. J. Appl. Phys. 42, 2882 (1971)
  • Г.В. Михайлов, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, В.А. Харченко. ФТТ 31, 11, 160 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.