Вышедшие номера
Анализ структурных нарушений имплантированных бором монокристаллов кремния по результатам двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
Петраков А.П.1, Тихонов Н.А.1, Шилов С.В.1
1Сыктывкарский государственный университет им. Питирима Сорокина, Сыктывкар, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

На основе кривых дифракционного отражения и трехкристальных спектров проведен анализ структурных нарушений монокристаллов Si. Рассчитано относительное изменение периода решетки, распределение его по глубине, определен тип возникающих дефектов и поведение имплантированной примеси в результате термического отжига.
  1. Казимиров А.Ю., Ковальчук М.В., Конн В.Г. // Металлофизика, Т. 9. N 4. 1987. С. 54--58
  2. Holy V., Kubena J. // Czech. J. Phys. 1982. Vol. 32. N 7. P. 750--766
  3. Servidori M., Cembaly F. // J. Appl. Cryst. 1988. Vol. 21. N 5. P. 176--181
  4. Zaumseil P., Winter U. // Phys. Stat. Sol. 1990. Vol. 120. N 1. P. 67--75
  5. Бушуев В.А., Петряков А.П. // Кристаллография. 1995. Т. 40. N 6. C. 1043--1049
  6. Iida A., Kohra K. // Phys. Status Solidi A. 1979. T. 51. P. 533--541.
  7. Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмиркронных слоев. М.: Наука, 1989. 152 с
  8. Kohn V.G., Kovalchuk M.V., Imamov R.M., Labonovich E.F. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. Vol. 64. N 2. P. 435--442
  9. Бушуев В.А., Петраков А.П. // ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 2. С. 355--364
  10. Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Фельсков М. // ФТТ. 1987. Т. 21. Вып. 7. С. 1193--1197
  11. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Наука, 1973. 296 с
  12. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев В.С., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии. Минск: Университетское изд-во, 1990. 319 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.