"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Сульфидная пассивация поверхности полупроводников A3B5: роль заряда иона серы и реакционного потенциала раствора
Бессолов В.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Предложена модель, описывающая влияние раствора на электронные свойства сульфидированной поверхности полупроводника A3B5, рассматривающая процесс адсорбции серы в рамках льюисовского кислотно-основного взаимодействия. Согласно модели, плотность состояний на сульфидированной поверхности, пиннингующих уровень Ферми, уменьшается при увеличении глобальной жесткости электронной оболочки адсорбирующихся сульфид-ионов. Методом Томаса--Ферми--Дирака рассчитана глобальная жесткость сульфид-ионов с разным зарядом в зависимости от диэлектрической проницаемости среды. Показано, что жесткость иона серы тем больше, чем ниже его заряд и меньше диэлектрическая проницаемость растворителя.
  • Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 1. P. 33--35
  • Ohno T., Shiraishi K. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 42. N 17. P. 1194--1197
  • Ren S.-F., Chang Y.-C. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. N 11. P. 7705--7712
  • Ow K.N., Wang X.W. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. N 24. P. 17 661--17 666
  • Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 1. С. 46--50
  • Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. Vol. 14. N 4. P. 2761--2766
  • Bessolov V.N., Lebedev M.V., Zahn D.R.T. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 5. P. 2640--2642
  • Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Шерняков Ю.М., Царенков Б.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 14. С. 53--56
  • Parr R.G., Donnelly R.A., Levy M., Palke W.E. // J. Chem. Phys. 1978. Vol. 68. P. 3801--3807
  • Parr R.G., Pearson R.G. // J. Am. Chem. Soc. 1983. Vol. 105. P. 7512--7516
  • Parr. R.G., Yang W. // Annu. Rev. Phys. Chem. 1995. Vol. 46. P. 701--728
  • Piquini P., Fazzio A., Dal Pino Jr A. // Surf. Sci. 1994. Vol. 313, P. 41--51
  • Bessolov V.N., Ivankov A.F., Lebedev M.V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. Vol. 13. N 3. P. 1018--1023
  • Pearson R.G. // Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 1986. Vol. 83. P. 8440--8441
  • Yang W., Parr R.G. // Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 1985. Vol. 82. P. 6723--6726
  • Пирсон Р.Дж. // Успехи химии. 1971. Т. 40. N 7. С. 1259--1282
  • Berkowitz M., Ghosh S.K., Parr R.G. // J. Am. Chem. Soc. 1985. Vol. 107. P. 6811--6814
  • Pearson R.G. // Acc. Chem. Res. 1993. Vol. 26. P. 250--255
  • Tomasi J., Persico M. // Chem. Rev. 1994. Vol. 94. P. 2027--2094
  • Lipoinski J., Komerovski L. // Chem. Phys. Lett. 1996. Vol. 262. P. 449--454
  • Гомбаш П. // Статистическая теория атома и ее применение М.: ИЛ, 1951. 399 с
  • Chattaraj P.K., Cedillo A., Parr R.G. // J. Chem. Phys. 1995. Vol. 103. N 24. P. 1021--1026
  • Джеффрис Г., Свирлс Б. Методы математической физики. Т. 1. М.: Мир, 1969. 424 с
  • Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. // ФТТ. 1997. Т. 39. Вып. 1. С. 60--63
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.