Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту --- наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G. Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений. Работа выполнена при поддержке гранта "Ведущие научные школы" (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs
А.Ю. Емельянов. ФТТ 43, 2, 316 (2001)
A.L. Roytburd, S.P. Alpay, L.A. Bendersky, V. Nagarajan, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 89, 1, 553 (2001)
И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Н.Г. Хосина, В.П. Афанасьев. Письма в ЖТФ 30, 6, 25 (2004)
Youngsung Kim, Wangkyu Lim, Jaichan Lee. Integrated Ferroelectrics 37, 285 (2001)
Л.И. Соловьева, И.Е. Обвинцева, М.И. Яновская, К.А. Воротилов, В.А. Васильев. Неорган. материалы 32, 7, 866 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук