Издателям
Вышедшие номера
Особенности нестационарного фототока короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6
Богомолов А.А.1, Солнышкин А.В.1, Киселев Д.А.1, Раевский И.П.2, Проценко Н.П.2, Санджиев Д.Н.2
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: Alexsey.Bogomolov@tversu.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Представлены результаты исследований нестационарного фототока короткого замыкания пленок сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 в области температур, включающей точку фазового перехода, также рассматривается влияние внешнего электрического поля и подсветки белым светом на фотоэлектрический отклик образцов. Работа выполнена в рамках программы Минобразования РНП 2.1.1.3674 и при финансовой поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-90568 ННС\_а). PACS: 72.40.+w, 77.70.+a
  • А.А. Богомолов, О.В. Малышкина, А.В. Солнышкин, И.П. Раевский, Н.П. Проценко, Д.Н. Санджиев. Изв. РАН. Сер. физ. 61, 2, 375 (1997)
  • В.К. Ярмаркин, Б.М. Гольцман, М.М. Казанин, В.В. Леманов. ФТТ 42, 3, 511 (2000)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). 672 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.