Гавриляченко В.Г.1, Решетняк Н.В.1, Резниченко Л.А.1, Гавриляченко С.В.1, Семенчев А.Ф.1, Дудкина С.И.1
1Ростовский государственный университет Научно-исследовательский институт физики
Поступила в редакцию: 23 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Приводятся данные об усталости сегнетоэлектрических материалов, вызванной циклической переполяризацией переменным полем. Предполагается, что электрическая усталость образцов обусловлена ростом концентрации дефектов кристаллической структуры.
Jang Q.Y., Subbarao T.C., Gross L.E. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 11. P. 7433--7443
Pan W., Sun S., Fuierer P. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 2. P. 1256--1264
Бородин В.Э., Экнадиосянц Е.И., Пинская А.П. Полупроводники-сегнетоэлектрики. В. 6. Ростов-на-Дону: МП "Книга", 1996. С. 125--126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.